Расчет выходного каскада усилетеля

Федеральное агентство по образованию

Государственное общеобразовательное учреждение высшего  профессионального образования

Санкт-Петербургский  Государственный Университет  Низкотемпературных и Пищевых Технологий  
 
 

Кафедра электротехники и электроники 
 
 
 
 
 

Пояснительная записка

к курсовой работе

«РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА  УСИЛИТЕЛЯ»

По курсу  «Общая электротехника и электроника» 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Руководитель работы                                                                 Дорошков А.В.

Выполнил студент                                                                       Абрамов А.В.

группы 231+3А 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Санкт-Петербург

2011

СОДЕРЖАНИЕ

Введение ………………………………………………………………………………………….………….………….…..………..4

1. Выбор принципиальной схемы …………………………………………….…………………..………….....….. 5
2. Расчет выходного каскада……………………………….……………………….……….……………….……….…..9
1. Выбор выходных транзисторов......………………………….…………………………………...…….9
2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки.....11
3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов их работы по постоянному току Построение линии нагрузки .……………………………………………..…………….…………..…...13
4. Определение основных параметров выходного каскада ...............………………….15
5. Расчет элементов связи…………………………………………………………………..……….….….….19
3. Заключение………………………………………………….…………………………………………………….……….…..22

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Введение

     В настоящее  время в технике повсеместно  используются разные усилительные устройства. В зависимости от типа усиливаемого параметра усилители делятся  на усилители тока, напряжения и мощности.

       В данной работе мы производим  расчет бестрансформаторного выходного  каскада (усилителя мощности) переменного  тока на транзисторах. А именно: выбираем выходные транзисторы;  подбираем режим работы по  постоянному току; выбираем предвыходные транзисторы и режимы их работы по постоянному току; определяем основные параметры выходного каскада; рассчитываем элементы связи.

       В задачу входит анализ исходных  данных на предмет оптимального  выбора типа электронных компонентов,  входящих в состав устройства, и параметров его компонентов. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

1. Выбор принципиальной схемы

Бестрансформаторный выходной каскад на комплементарных  транзисторах с диодно-резистивной  регулирующей цепочкой(VD1, VD2, R_п)

2. Расчет принципиальной схемы
1. Выбор выходных транзисторов

Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора  VT3(VT4)

U_km3 =√2U_H =14.1В

Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3(VT4)

I _km3= U_km3/R_н=2.82А

Мощность, выделяемая на нагрузке

P_н=(U_н)²/ R_н=20 Вт

Необходимое напряжение источника питания

E_n = 1,1(U_km3 +I_km3 • r_нac) = 15.69 В

r_нас ≈ 0,1−1 - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения. Ом

Так как величину источника питания следует выбирать из ряда (5, 6, 9, 12, 15,18, 24, 27, 36, 48) В, то принимаем  Eп=18 В

Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора

P_к3=0,6* Р_Н=12 Вт

Используя полученные значения P_k3, I _km3, E _п из компьютерной базы кафедры и

справочника по транзисторам, отдавая предпочтение приборам с малым обратным

током I_k0, подбираем транзисторы КТ816Б и КТ817Б (VT3 и VT4).

На первом этапе  проверяем, что выбранные транзисторы  удовлетворяют по своим предельно-допустимым параметрам следующей системе неравенств:

P_{k доп20} 25Вт > 1,4Р_к3 = 16.8 Вт;

U_k3дon = 45В > 2,2E_п = 39.6 В;

I_{k доп} = 6А > 1,15*I_km3 = 3.3А 

Указанной системе  неравенств удовлетворяют транзисторы

Затем переходим  ко второму этапу, на котором проверяем  могут ли транзисторы VT3 и VT 4 при наибольшей температуре своих корпусов (коллекторов) t_kmax  рассеивать мощность, не меньшую, чем 1,1P_k. Для этого рассчитываем

Р'_кдоп = P_kдоп20[1-0,01(t_kmax -20^oC)] =  15Вт

где t_kmax =t_в + (15 – 30) [^oC] - максимальная температура коллекторного пере-

хода; t_в - верхнее значение диапазона рабочих температур,[^oC].

Транзисторы подходят, так как

Р'_кдоп=  15Вт≥1,1P_k=13.2 Вт

Выписываем основные параметры выбранных транзисторов:

P_{k доп20} = 25 [Вт] - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе при 20 ^oC

U_{кэ доп} =45 [B]- максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером

I_{k доп} =6 [А]-максимально допустимый постоянный ток коллектора

h_{21э min} =25- минимальный коэффициент передачи тока базы в схеме общий эмиттер

T_{п доп} =125 [^oC] - максимально допустимая температура перехода

R_{t n-k} = 3[^oC/Вт] - тепловое сопротивление подложка- корпус

I_{k0 20} ^o_С=0.1 [мА] - обратный ток коллектора при 20 ^oC 

2. Выбор режима работы по постоянному  току и построение линии нагрузки

Рассчитываем величину обратного тока коллектора при максимальной температуре по формуле

I_{k0 max}= I_{k0 20} ^o_С * e^{01(tkmax -20)} = 0,0016 А

Задаемся током  покоя коллектора I_k03 транзисторов VT3(VT4) из соотношения

I_ok3 > (10 - 30)I_k0max =  0,084 A.

Ток покоя I_k03 должен быть, как минимум, в 10- 30 раз меньше амплитудного значения тока коллектора, поэтому осуществляем проверку

I_ok3 = 0,084 < (0,03 - 0,1)I_km3 = 0,03 • 2.82 = 0,084 А

Условие выполняется, следовательно транзистор подобран правильно

На семействе выходных характеристик транзисторов VT3(VT4) строим нагрузочные прямые по переменному току с корординатоми (рис.2)

A(I_ok3, E_n); B(I_ok3+ I _km3, E_n- U_km3)     А (0,084А ; 18 В) B(2,9А;3.9В)

Перенеся соответствующие  значения I_об3 и I_{б3 max} на входную харктеристику (рисунок 6), определяем для транзисторов VT3(VT4):

U_бm3 =0.45 В- амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе

U_об3 =0.65 В- напряжение покоя базы

U_{бm3 max} =1.1 В- максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе

I_об3=3 мА- ток покоя базы

I_{бm3 max}=120 мА- максимальное значение тока базы

I_бm3=117 мА- амплитудное значение тока базы

После этого рассчитываем:

• Входное сопротивление базоэмиттерного переходы транзистора VT3(VT4)

R_{вх бэ3}= U_бm3/ I_бm3=3.8 Ом

• Номиналы резисторов R3 и R4

R3 = R4 = (2 - 5 )R_ex =5*3.8 = 19 Ом 
 
 
 

Рисунок 5. Построение нагрузочной прямой транзистора VT3(VT4)

_{Рисунок 6. Определение параметров входного сигнала} VT3(VT4) 
 
 
 
 

3.  Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки

Ток покоя эмиттера транзисторов VT1(VT2)

I_оэ1=I_об3+( U_об3/R3)=0,037 А

Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1(VT2)

I_эm1=( U_бm3(R3+ R_{вх бэ3}))/( R3*R_{вх бэ3})=0,142 А

Соответственно амплитудное  значение тока I_кm1≈ I_эт1, так как коэффициент пердачи тока эмиттера близок единице.