Расчет выходного каскада усилителя

Автор: Пользователь скрыл имя, 12 Января 2011 в 15:56, курсовая работа

Описание работы

Целью данной курсовой работы является проектирование бестрансформаторного выходного каскада усилителя на основе биполярных транзисторов. В задачу входит анализ исходных данных на предмет оптимального выбора типа электронных компонентов, входящих в состав устройства, и параметров его компонентов. Для разработки данного усилителя следует произвести предварительный расчёт и оценить тип основных элементов, а также необходимо рассчитать элементы связи.

Содержание

Введение ………………………………………………………………………………………….………….………….…..………..4
1. Выбор принципиальной схемы …………………………………………….…………………..………….....….. 5
2. Расчет выходного каскада……………………………….……………………….……….……………….……….…..9
1. Выбор выходных транзисторов......………………………….…………………………………...…….9
2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки.....11
3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов их работы по постоянному току Построение линии нагрузки .……………………………………………..…………….…………..…...13
4. Определение основных параметров выходного каскада ...............………………….15
5. Расчет элементов связи…………………………………………………………………..……….….….….19
3. Заключение………………………………………………….…………………………………………………….……….…..22

Работа содержит 1 файл

Курсач.docx

— 144.24 Кб (Скачать)

Федеральное агентство по образованию

Государственное общеобразовательное учреждение высшего  профессионального образования

Санкт-Петербургский  Государственный Университет  Низкотемпературных и Пищевых Технологий  
 
 

Кафедра электротехники и электроники 
 
 
 
 
 

Пояснительная записка

к курсовой работе

«РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА  УСИЛИТЕЛЯ»

По курсу  «Общая электротехника и электроника» 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Руководитель работы                                                                 Дорошков А.В.

Выполнил студент                                                                       Воронко П.П.

группы 231+3А 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Санкт-Петербург

2010

СОДЕРЖАНИЕ

Введение ………………………………………………………………………………………….………….………….…..………..4

  1. Выбор принципиальной схемы …………………………………………….…………………..………….....….. 5
  2. Расчет выходного каскада……………………………….……………………….……….……………….……….…..9
    1. Выбор выходных транзисторов......………………………….…………………………………...…….9
    2. Выбор режима работы по постоянному току и построение линии нагрузки.....11
    3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов их работы по постоянному току Построение линии нагрузки .……………………………………………..…………….…………..…...13
    4. Определение основных параметров выходного каскада ...............………………….15
    5. Расчет элементов связи…………………………………………………………………..……….….….….19
  3. Заключение………………………………………………….…………………………………………………….……….…..22
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Введение

Одной из наиболее важных операций в электронике является усиление. На базе усилителей построены  практически все электронные устройства.

Целью данной курсовой работы является проектирование бестрансформаторного выходного каскада усилителя на основе биполярных транзисторов. В задачу входит анализ исходных данных на предмет оптимального выбора типа электронных компонентов, входящих в состав устройства, и параметров его компонентов. Для разработки данного усилителя следует произвести предварительный расчёт и оценить тип основных элементов, а также необходимо рассчитать элементы связи.  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

  1. Выбор принципиальной схемы

Бестрансформаторный выходной каскад на комплементарных  транзисторах с диодно-резистивной  регулирующей цепочкой(VD1, VD2, Rп)

Rн, Ом Rr, Ом Uн, В fн, Гц Fв, Гц υдоп, град tн- tв, oС
7 7 8.5 60 10000 20 0-55
  1. Расчет принципиальной схемы
    1. Выбор выходных транзисторов

Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора  VT3(VT4)

Ukm3 =√2UH =12В

Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора  VT3(VT4)

I km3= Ukm3/Rн=1.7 А

Мощность, выделяемая на нагрузке

Pн=(Uн)2/ Rн=10,3 Вт

Необходимое напряжение источника питания

En = 1,1(Ukm3 +Ikm3 • rнac) = 15 В

rнас ≈ 0,1−1 - внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения. Ом

Так как величину источника питания следует выбирать из ряда (5, 6, 9, 12, 15,18, 24, 27, 36, 48) В, то принимаем  Eп=15 В

Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора

Pк3=0,7* РН=7,2 Вт

Используя полученные значения Pk3, I km3, E п из компьютерной базы кафедры и

справочника по транзисторам, отдавая предпочтение приборам с малым обратным

током Ik0, подбираем транзисторы КТ816 и КТ817 (VT3 и VT4).

На первом этапе  проверяем, что выбранные транзисторы  удовлетворяют по своим предельно-допустимым параметрам следующей системе неравенств:

Pk доп20 25Вт > 1,4Рк3 = 7,2 Вт;

Uk3дon = 45В > 2,2Eп = 33 В;

Ik доп = 3А > 1,15*Ikm3 = 1,9А 

Указанной системе  неравенств удовлетворяют транзисторы

Затем переходим  ко второму этапу, на котором проверяем могут ли транзисторы VT3 и VT 4 при наибольшей температуре своих корпусов (коллекторов) tkmax  рассеивать мощность, не меньшую, чем 1,1Pk. Для этого рассчитываем

Р'кдоп = Pkдоп20[1-0,01(tkmax -20oC)] =  12,5Вт

где tkmax =tв + (15 – 30) [oC] - максимальная температура коллекторного пере-

хода; tв - верхнее значение диапазона рабочих температур,[oC].

Транзисторы подходят, так как

Р'кдоп=  12,5Вт≥1,1Pk=7,9 Вт

Выписываем основные параметры выбранных транзисторов:

Pk доп20 = 25 [Вт] - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе при 20 oC

Uкэ доп =45 [B]- максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером

Ik доп =3 [А]-максимально допустимый постоянный ток коллектора

h21э min =25- минимальный коэффициент передачи тока базы в схеме общий эмиттер

Tп доп =100 [oC] - максимально допустимая температура перехода

Rt n-k = 3[oC/Вт] - тепловое сопротивление подложка- корпус

Ik0 20 oС=0.1 [мА] - обратный ток коллектора при 20 oC 

    1. Выбор режима работы по постоянному  току и построение линии нагрузки

Рассчитываем величину обратного тока коллектора при максимальной температуре по формуле

Ik0 max= Ik0 20 oС * e008(tkmax -20) = 0,008 А

Задаемся током  покоя коллектора Ik03 транзисторов VT3(VT4) из соотношения

Iok3 > (10 - 30)Ik0max =  0,096 A.

Ток покоя Ik03 должен быть, как минимум, в 10- 30 раз меньше амплитудного значения тока коллектора, поэтому осуществляем проверку

Iok3 = 0,096 < (0,03 - 0,1)Ikm3 = 0,07 • 1,7 = 0,119 А

Условие выполняется, следовательно транзистор подобран правильно

На семействе выходных характеристик транзисторов VT3(VT4) строим нагрузочные прямые по переменному току с корординатоми (рис.2)

A(Iok3, En); B(Iok3+ I km3, En- Ukm3)     А (0,119А ; 15 В) B(1,8А;3В)

Перенеся соответствующие  значения Iоб3 и Iб3 max на входную харктеристику (рисунок 6), определяем для транзисторов VT3(VT4):

Uбm3 =0.28 В- амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном переходе

Uоб3 =0.68 В- напряжение покоя базы

Uбm3 max =0.96 В- максимальное значение напряжения на базоэмиттерном переходе

Iоб3=2 мА- ток покоя базы

Iбm3 max=40 мА- максимальное значение тока базы

Iбm3=38 мА- амплитудное значение тока базы

После этого рассчитываем:

  • Входное сопротивление базоэмиттерного переходы транзистора VT3(VT4)

Rвх бэ3= Uбm3/ Iбm3=7,2 Ом

  • Номиналы резисторов R3 и R4

R3 = R4 = (2 - 5 )Rex =5*7,5 = 36 Ом 
 
 
 

Рисунок 5. Построение нагрузочной прямой транзистора VT3(VT4)

Рисунок 6. Определение параметров входного сигнала VT3(VT4) 
 
 
 
 

    1.  Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по постоянному току. Построение линии нагрузки

Ток покоя эмиттера транзисторов VT1(VT2)

Iоэ1=Iоб3+( Uоб3/R3)=0,02 А

Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1(VT2)

Iэm1=( Uбm3(R3+ Rвх бэ3))/( R3*Rвх бэ3)=0,05 А

Соответственно амплитудное  значение тока Iкm1≈ Iэт1, так как коэффициент пердачи тока эмиттера близок единице.

Информация о работе Расчет выходного каскада усилителя