Разработка ГИС частного применения. Ждущий Мультивибратор

3)  Суммарная погрешность  не превышает допуск

 

Все 3 требования выполняются, следовательно, резистор спроектирован  удовлетворительно.

 

Расчёт  резистора  :

Так как  , то расчёт начинается с расчёта ширины резистора.

 

Минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная мощность:

Следовательно, ширина резистора .

Рассчитаем длину резистора:

.

Найдём полную длину напыляемого слоя резистора:

Рассчитаем площадь  занимаемую резистором:

Резистор спроектирован  удовлетворительно, если:

1) Удельная мощность  рассеивания  не превышает допустимую , заданную в техническом задании:

2) Погрешность коэффициента  формы  не превышает допустимую.

3)  Суммарная погрешность  не превышает допуск

 

Расчёт  резистора  :

Так как  , то расчёт начинается с расчёта ширины резистора.

 

Минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная мощность:

Следовательно, ширина резистора .

Рассчитаем длину резистора:

.

Найдём полную длину  напыляемого слоя резистора:

Рассчитаем площадь  занимаемую резистором:

Резистор спроектирован  удовлетворительно, если:

1) Удельная мощность  рассеивания  не превышает допустимую , заданную в техническом задании:

2) Погрешность коэффициента  формы не превышает допустимую.

3)  Суммарная погрешность  не превышает допуск

 

Все 3 требования выполняются, следовательно резистор спроектирован  удовлетворительно.

 

Все 3 требования выполняются, следовательно резистор спроектирован удовлетворительно.

 

В таблице 1 представлены рассчитанные параметры резисторов.

Позиционное обозначение	Сопротивление, Ом	Погрешность, %	Мощность, мВт	Коэффициент формы	Выбранная длина	Выбранная ширина
R1	10 000	10	0.4	1.667	3.2	1.8
R2	3000	10	5	1	2.4	2.2
R3	10000	10	0.4	10	3.2	18
R4	91	20	0.03	0.91	0.85	0.714
R5	4700	20	2.2	1.567	1.062	0.55
R6	9400	10	3	1.567	3.201	1.8

 

Таблица 1.

5) Выбор навесных элементов.

 

Транзисторы VT1, VT2 - это транзисторы типа КТ354А, Р = 10 мВт, Iк= 1.7 мА. Электрические параметры транзистора данного типа представлены в таблице 2.

 

Тип транзистора	Структура	fТ, МГц	Uкбmax, В	Iк max , mA	Cк, пФ	Ркmax , мВ	h 21е	Интервал рабочих температур	Масса, г. (не более)
КТ354А	n-p-n	1000-1300	10	20	1.5	30	40-400	-60 - +85	1

Таблиц 2.

Рисунок 4 – Габаритный чертёж транзистора КТ354А

 

Конденсаторы С1 и С2 – это миниатюрный конденсатор группы К10-9М, Up = 10 В.  Габаритные размеры представлены в таблице 3.

 

Обозначение	Тип конденсатора	Номинальная ёмкость, пФ	L, мм	B, мм	L1, мм	Масса, г
С1	К10-9М	140	2	4	3	0.15
С2	К10-9М	30	2	2	2	0.2

Таблица 3.

 

 

Рисунок 5– Габаритный чертёж конденсатора К10-9М

 

Диод VD1 - это диод типа КД104А, Р = 8 мВт. Электрические параметры транзистора данного типа представлены в таблице 4.

Тип диода	Uпр при Iпр =50мА (В)	Iобр (мкА)	Iобр max (мА)	Iпр max (мА)	Интервал рабочих температур (°С)	Вариант установки на подложке	Масса, г
КД 104 А	1,0	3,0	300	10	-60 ÷ 70	I	0,1

Таблица 4.

Рисунок 3 –  Габаритный чертёж диода КД104А

5) Выбор корпуса и подложки.

1.  Площадь подложки, необходимую для размещения топологической структуры ГИС, определяют  исходя из того, что площадь, занижаемая элементами, несколько меньше ее полной площади, что обусловлено технологическими требованиями и ограничениями.

Площадь подложки вычисляют  из соотношения:

где  K_s - коэффициент использования платы (от 0,4 до 0,6);

- суммарная площадь, занимаемая  резисторами;

- общая площадь, занимаемая  конденсаторами;

- общая площадь занимаемая  контактными площадками; 

- общая площадь, занимаемая  навесными элементами.

 

Выбираем  подложку площадью 8x15 мм² из материала Ситалл СТ50-1 с предельным отклонением – 0,1 мм и неперпендикулярность сторон – 0,1 мм.

2. Выбираем  корпус ГИС 151.15-4 (рисунок 5).

Рисунок 3 – Габаритный чертёж корпуса ГИС 151.15-4

 

 

6. Технологический  процесс изготовления ГИС.

1. Изготовление  подложки

2. Вырезка  подложки размером 8x15 мм².

       Материал – Ситалл СТ50-1.

3. Нанесение  резистивной плёнки.

Резисторы: R1,R3,R6.

Материал  –  ПР-6К.

Резисторы: R2,R5.

Материал  –  ПР-3К.

Резисторы: R4.

Материал  –  ПР-100.

4. Нанесение  проводящей пленки.

Материал  – алюминий.

5. Нанесение  защитного слоя.

Материал  – Фоторезист ФН103.

6. Установка  навесных элементов (транзисторы VT1, VT2), диод (VD1), конденсаторы (С1, С2). Крепление клеем ВК-9 и пайка выводов.

7. Установка  подложки в корпус.

Крепление клеем ВК-9 и пайка выводов.

8. Герметизация  корпуса.

9. Маркировка.

10. Контроль.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Список  использованных источников.

 

1. Методические  указания по курсовому проектированию. Гибридные интегральные микросхемы.