Разработка импульсного вторичного источника питания

Автор: Пользователь скрыл имя, 02 Июня 2013 в 13:38, курсовая работа

Описание работы

Электрическая энергия, вырабатываемая первичными источниками, не всегда может быть непосредственно использована для питания электронной аппаратуры. Поэтому электропитание радиоэлектронной аппаратуры осуществляется средствами вторичного электропитания, которые подключаются к источникам первичного электропитания, преобразуют их переменное или постоянное напряжение в ряд выходных напряжений различных номиналов как постоянного, так и переменного тока с характеристиками, обеспечивающими нормальную работу РЭА в заданных режимах. Для выполнения этих задач в состав средств вторичного электропитания входят как сами источники питания, так я ряд дополнительных устройств, обеспечивающих их работу в составе комплекса РЭА.

Содержание

Введение…………………………………………………………………….3
1 Выбор структурной схемы источника питания………………………...5
2 Выбор функциональной схемы источника питания……………………6
3 Выбор электрической принципиальной схемы источника питания…..8
4 Выбор и расчёт всех узлов проектируемого источника питания…….12
5 Моделирование узлов источника питания…………………………….26
Заключение………………………………………………………………...31
Литература…………………………………………………………………32

Работа содержит 1 файл

Курсовой проект_ЭУА.docx

— 551.33 Кб (Скачать)

Проверяем выбор сопротивления  соотношением:

;

Выбираем  резисторы ОМЛТ-0,125 сопротивлением 39 кОм.

Определяем  ёмкости конденсаторов  и . Для этого определяем:

Отсюда  находим:

Выбираем  керамический конденсатор серии КМ-6 с параметрами , .

Выбираем  керамический конденсатор серии КМ-6 с параметрами , .

 

4.6 Расчёт  схемы питания генератора импульсов

 

Для питания задающего генератора (мультивибратора) будем использовать отдельный блок, схема которого указана на рисунке 7.

Рисунок 7 – Схемы питания генератора импульсов

 

Блок питания представляет собой трансформатор, выпрямительный мост с ёмкостными фильтрами и стабилизатором напряжения DA1 на микросхеме КР1180ЕН5А с параметрами Uвых = 5В, Iн max = 1,5А.

Выбираем стандартный трансформатор  ТП-321-2 с параметрами , .

Определим параметры диодов, входящих в мост:

Выбираем диоды Д229В с параметрами:

Рассчитаем  ёмкостной фильтр, стоящий после  моста. Принимаем коэффициент пульсации на выходе фильтра К=0,03. Тогда:

Выбираем  алюминиевый оксидно-электролитический  конденсатор серии К50-20 с параметрами , и алюминиевый оксидно-электролитический конденсатор серии К50-29 с параметрами , . Конденсаторы включаем параллельно.

Так как для микросхем серии  КР1180ЕН5А ёмкость выходного фильтра необходимо принимать не менее 10 мкФ, принимаем и выбираем алюминиевый оксидно-электролитический конденсатор серии К50-20 с параметрами , .

 

4.7 Расчёт стабилизатора первого  канала

 

Стабилизатор напряжения первого  канала выполним на интегральной микросхеме LM109 в корпусе TO-3 с фиксированным выходным напряжением, защитой от перегрева и схемой защиты от перегрузок по току нагрузки. Параметры микросхемы:

Стандартная схема подключения  микросхемы показана на рисунке 8.

 

Рисунок 8 – Стабилизатор первого  канала

 

Конденсаторы  и являются стандартной обвязкой данной микросхемы. Их ёмкости необходимо принимать . Выбираем оксидно-полупроводниковые конденсаторы серии К53-22 с параметрами , .

 

4.8 Расчёт стабилизатора второго  канала

 

Стабилизатор напряжения второго  канала выполним в виде компенсационного стабилизатора последовательного  типа на дискретных элементах. Схема  также предусматривает защиту от перегрузки по току. Схема представлена на рисунке 9.

Рисунок 9 – Стабилизатор второго канала

 

Данная схема состоит из регулирующего  элемента, источника опорного напряжения, усилителя обратной связи и цепь защиты. Роль регулирующего элемента играет комплиментарный транзистор (состоит из двух транзисторов VT5 и VT6). Источник опорного напряжения –VD9, R5, R6, VT4. Усилитель обратной связи – R8, VD10, VT7,R9, R10, R11. Цепь защиты – VT8, R12.

Находим наименьшее напряжение на входе стабилизатора:

Uвх min = Uн + Uкэ 6 min = 60 + 3 = 63 B

где Uкэ 6 min – минимальное напряжение на регулирующем транзисторе VT6.

Исходя  из того, что VT6 предположительно кремниевый, то Uкэ 6 min выбираем в пределе 3..5 В.

Учитывая  нестабильность входного напряжения на входе стабилизатора ±10%, находим среднее и максимальное напряжение на входе стабилизатора:

Uвх ср = Uвх min / 0,9 = 60 / 0,9 = 67 В

Uвх max = 1,1 ´ Uвх ср  = 1,1 ´ 67 = 74 В

Определяем  максимальное значение напряжения на регулирующем транзисторе:

Uкэ 6 max = U вх max - Uн = 74 – 60 = 14 В

По значениям  Uкэ 6 max, Iн, выбираем регулирующий транзистор. Выбираем транзистор КТ817А с параметрами , , , .

Находим ток базы транзистора VT6:

Iб 6 = Iн / h21Э 6 = 1 / 25 = 0,04 А

Определяем  начальные данные для выбора транзистора  VT5. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер VT5:

Uкэ 5 max  = Uкэ 6 max - Uбэ 6 max = 14 – 5 = 9 В

Ток коллектора VT5 состоит из тока базы VT6 и тока потерь, который протекает через резистор R7 (принимая IR7 = 5´10-3 А):

Iк 5 = Iб 6 + IR 3 = 0,04 + 5´10-3 = 0,405 А

По полученным значениям Uкэ 5 max, Iк 5, выбираем транзистор КТ817А с параметрами , , , .

Рассчитываем  ток базы транзистора VT5:

Iб 5 = Iк 5 / h21Э 5 min = 0,405 / 25 = 16,2 мА

Находим сопротивление резистора R7:

R7 = (Uн + Uбэ 6) / IR7 = (60 + 5) / 5´10-3 = 13000 Ом

Выбираем  резистор ОМЛТ-0,125 сопротивлением 13 кОм.

В качестве источника эталонного напряжения берем параметрический стабилизатор напряжения на кремниевом стабилитроне VD10 из расчета:

UVD10 = 0,7 Uн = 0,7 ´ 60 = 42 В

Выбираем  стабилитрон КС528С с параметрами:

Uст ном = 43 В

Iст = 2,5 мА – средний ток стабилизации;

rст = 120 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.

Вычисляем сопротивление резистора R8 с учётом I R8 = I VD10:

R8 = 0,3 Uн / IR8 = 0,3 ´ 60 / 2,5´10-3 = 7200 Ом

Выбираем  резистор ОМЛТ-0,125 сопротивлением 7,5 кОм.

Определяем  начальные данные для выбора транзистора  VT7. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер транзистора:

Uкэ 7 max = Uн + Uбэ 6 + Uбэ 5 - UVD10 = 60 + 5 + 5 - 42= 28 В

Задаем  ток коллектора VT7 меньшим, чем средний стабилитронаVD10:

Iк 7 = 1 мА

По полученным значениям Uк 7 max, Iк 7, выбираем транзистор КТ817А с параметрами , , , .

Рассчитываем  ток базы VT7:

Iб 7 = Iк 7 / h21Э 7 min = 1´10-3 / 25 = 4´10-5 А

Ток последовательно  соединенных резисторов R9, R10, R11 принимаем равным 5Iб 7 и определяем суммарное сопротивление делителя

Rдел = Uн / Iдел = 60 / (5 ´ 4´10-5) = 300 кОм

Находим сопротивления резисторов:

R9 = 0,3 Rдел = 0.3 ´ 300000 = 90 кОм

R10 = 0,1 Rдел = 0.1 ´ 300000 = 30 кОм

R11 = 0,6 Rдел = 0.6 ´ 300000 = 180 кОм

Выбираем  резисторы серии ОМЛТ-0,125 сопротивлениями 91 кОм, 180 кОм и переменный резистор ППБ-15 сопротивлением 2,2 Ом – 47 кОм.

Рабочее напряжение стабилитрона VD9 определяем из соотношения:

UVD9 = 0,1 Uвх max = 0,1 ´ 74 = 7,4 В

Выбираем  стабилитрон 1С175А с параметрами:

Uст ном = 7,5 В

Iст = 5 мА – средний ток стабилизации

rст = 16 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.

Вычисляем сопротивление резистора R5, с учётом I R5 = I VD9:

R5 = 0,9 Uвх max / IR5 = 0.9 ´ 74 / 5´10-3 = 13300 Ом

Выбираем  резистор ОМЛТ-0,125 сопротивлением 13 кОм.

Определяем  начальные данные для выбора транзистора  VT4. Рассчитываем ток коллектора транзистора VT4:

Iк 4 = Iк 7 + Iб 5 = 1´10-3 + 16,2´10-3 =17,2 мА

Находим напряжение коллектор-эмиттер VT4:

Uкэ 4 max = Uвх max - UR6 + Uк 7 max - UVD10 = 74 - 2,4 + 28 - 42 = 58 В

где UR6 = UVD9 - Uбэ 4 = 7,4 - 5 = 2,4 В– падение напряжения на резисторе R6.

По полученным значениям Uкэ 4 max, Iк 4, выбираем транзистор КТ184В с параметрами , .

Рассчитываем  сопротивление резистора R6:

R6 = UR6 / Iк 4 = 2,4 / 17,2´10-3 = 140 Ом

Выбираем  резистор серии ОМЛТ-0,125 сопротивлением 150 Ом.

Для расчета  схемы защиты принимаем ток срабатывания защиты равный 110% от Iн.

Iн max = 1,1 Iн = 1,1 ´ 1 = 1,1 А

Рассчитываем  сопротивление R12, принимая Uбэ 8 = 5 В:

R12 = Uбэ 8 / Iн max = 5 / 1,1 = 4,5 Ом

Выбираем  транзистор VT8 из условий:

Iк 8 = Iб 6 = 0,04 А

Uкэ 8 max =Uбэ 6 + R12´Iн max = 5 + 4,5 ´ 1,1 = 10 B

По полученным значениям Uкэ 8 max, Iк 8, выбираем транзистор КТ817А с параметрами , .

 

5 Моделирование  узлов источника питания

 

Моделирование узлов источника питания будем  производить с помощью программы  Micro-Cap 7.0.

 

5.1 Моделирование  помехоподавляющего фильтра

Рисунок 10 –  Модель входного фильтра

 

Рисунок 11 –  Полученные графики

 

 

5.2 Моделирование  сетевого выпрямителя и сглаживающего

ёмкостного  фильтра

 

Рисунок 12 – Модель сетевого выпрямителя  и ёмкостного фильтра

 

 

Рисунок 13 –  Полученные графики

 

 

5.3 Моделирование  мультивибратора

Рисунок 14 –  Модель мультивибратора

 

 

Рисунок 15 –  Полученные графики

 

5.4 Моделирование схемы питания генератора импульсов

 

За неимением  в библиотеке MicroCap микросхемы КР1180ЕН5А, в качестве стабилизатора напряжения будем использовать микросхему LM117.

 

Рисунок 16 – Модель схемы питания генератора импульсов

 

 

Рисунок 17 – Полученные графики

 

5.5 Моделирование стабилизатора второго канала

 

Рисунок 18 – Модель стабилизатора 2-го канала

 

Рисунок 19 – Полученные графики

 

Заключение

 

В ходе выполнения данного курсового проекта был  разработан двухканальный вторичный  импульсный источник питания с использованием однотактного преобразователя с  прямым включением диода. Схема управления преобразователем была реализована  на мультивибраторе. Каждый канал источника  питания имеет схему защиты от перегрузки по току и от превышения напряжения на нагрузке, реализованную на микросхеме для первого канала и на дискретных элементах для второго. Узлы источника питания были смоделированы в программе Micro-Cap 7.0 и была произведена коррекция выбора элементов схемы.

 

Литература

 

  1.  Расчет источников электропитания устройств связи. Учеб. пособие для вузов. В. Е. Китаев, А. А. Бокуняев, М. Ф. Колканов – М.: Радио и связь, 1993.
  2. Импульсные источники вторичного электропитания в бытовой радиоаппаратуре. А.В. Митрофанов, А.И. Щеголев – М.: Радио и связь, 1985.
  3. Однотактные преобразователи напряжения. А.Г. Поликарпов, Е.Ф. Сергиенко, – М.: Радио и связь, 1989.
  4. Полупроводниковые приборы: Справочник. В. И Галкин, А. Л. Булычев, П. М. Лямин. – Мн.: Беларусь, 1994.
  5. Электропитание бытовой радиоэлектронной аппаратуры. Г. П. Вересов, Ю. Л. Смуряков. – М.: Радио и связь, 1983.
  6. Сетевые блоки питания с высокочастотными преобразователями. С. А. Эраносян. – Л.: Энергоатомиздат, 1991.
  7. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник. Г. С. Найвельт, Ч. И. Хусаинов и др. – М.: Радио и связь, 1985

Информация о работе Разработка импульсного вторичного источника питания