Простые полупроводники
18 Января 2012 в 15:51, реферат
Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются отпроводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
Полупроводники. Общие сведения
24 Июня 2013 в 14:14, реферат
Цель настоящей работы: ознакомиться с основными характеристиками принципа работы полупроводникового резистора, конденсатора и оптоэлектронного устройства.
В соответствии с целью необходимо решить следующие задачи:
- ознакомиться с видами полупроводниковых резисторов, конденсаторов и оптоэлектронных устройств;
- изучить особенности полупроводниковых резисторов, конденсаторов и оптоэлектронных устройств;
Электрический ток в полупроводниках
13 Февраля 2013 в 13:11, реферат
Класс веществ назвали полупроводниками. у которых с повышением температуры увеличивается проводимость, уменьшается электрическое сопротивление. Этим полупроводники принципиально отличаются от металлов.
Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены кова-лентной связью. При любых температурах в полупроводниках имеются свободные электроны. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов кристаллической решетки приводит к превращению этого атома в положительный ион. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон у одного из соседних атомов.
Контакт металл-полупроводник. Барьеры мотта и шотки
26 Ноября 2012 в 16:30, курсовая работа
Контакт металл-полупроводник (КМП), обладающий как омическим, так и выпрямляющим свойством, является основным многофункциональным физическим элементом полупроводниковой электроники. Без преувеличения можно сказать, что в настоящее время трудно найти современные электронные устройства, в которых не применялись бы КМП приборы или в качестве дискретных полупроводниковых приборов, или же составных элементов интегральных схем. В качестве примера можно привести целое семейство диодов Шоттки (ДШ), различные транзисторы с ДШ, датчики температуры и давления, солнечные элементы, тиристоры, акустоэлектрические приборы и т.д.
Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n-перехода
18 Января 2012 в 11:07, курсовая работа
Теоретической основой электроники являются современные представления физики твердого тела и физики полупроводников, объясняющие
сложные процессы, происходящие в различных полупроводниковых структурах
и в контактах различных типов полупроводников.
Целью данной курсовой работы является определение свойств полупроводников и характеристик p-n перехода.
Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n-перехода
27 Ноября 2011 в 10:35, курсовая работа
Роль электроники в современной науке и электронной технике сложно переоценить. Научно-технический прогресс в настоящее время немыслим без прогресса в электронике. В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.
Неравновесный прыжковый перенос и близнецовая рекомбинация в органических полупроводниках
03 Марта 2013 в 13:47, автореферат
В основе работы электронных устройств лежит явление переноса (транспорта) носителей заряда в неупорядоченных полупроводниковых и ди- электрических средах. В отличие от обычных неорганических полупроводников, транспорт носителей заряда в таких средах является прыжковым. Методы исследования таких материалов связаны с генерацией в них избыточных носителей заряда: это может быть как фото- либо радиационная генерация электрондырочных пар в приэлектродном или во всем исследуемом слое материала, так и инжекция носителей заряда с электродов.
Вольт-фарадные характеристики как способ исследования полупроводников и полупроводниковых приборов
21 Ноября 2012 в 12:48, контрольная работа
При определении параметров полупроводниковых материалов в настоящее время используются различные методы. К ним можно отнести:
Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур или четырехзондовый метод. В этом методе через 2 металлических острия пропускается ток, а на других 2 измеряется падение напряжения. Метод позволяет исключить влияние сопротивлений контактов.
Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом эффекта Холла, основанном на разделении электрических зарядов в магнитном поле и измерении возникающей эдс или тока Холла. Дополняющим методом является метод измерения магнетосопротивления.