Автор: Пользователь скрыл имя, 24 Января 2012 в 09:50, контрольная работа
За короткий исторический срок современная микроэлектроника стала одним из важнейших направлений научно-технического прогресса. Массовое производство электронных вычислительных машин высокого быстродействия, различных видов электронной аппаратуры, аппаратуры управления технологическими процессами, систем связи, систем и устройств автоматического управления и регулирования стало возможным благодаря созданию больших и сверхбольших интегральных микросхем, микропроцессоров и микропроцессорных систем.
ВВЕДЕНИЕ 4
ЧАСТЬ I. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР 5
1.1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ……………………………………………….5
1.2. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПОДЛОЖКАМ……….6
1.3. ХАРАКТЕРИСТИКА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ…...7
1.4. ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ …………………………………………………………………...8
1.4.1. Получение кремния полупроводниковой чистоты…………………….8
1.4.2. Формирование слитков………………………………………………….9
1.4.3 Технология разделения слитков на заготовки………………………….11
1.4.4 Обработка поверхности заготовок с целью получения пластин………16
1.4.5 Операции разделения подложек на платы………………………………18
1.4.6 Разделение пластин на кристаллы……………………………………….20
ЧАСТЬ II. РАСЧЕТ ..24
ЧАСТЬ III. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ………………………………27
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 29