Исследование биполярных транзисторов

Министерство  образования Республики Беларусь

 

Учреждение  образования

«БЕЛОРУССКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ 

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

 

Кафедра электроники

 

 

 

 

 

 

 

Отчёт по лабораторной работе № 1

ИССЛЕДОВАНИЕ  БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнили студенты гр. XXXXXX                 Проверил:

     

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Минск 2012

Цель работы:

1. Изучить устройство,  режим работы, принцип действия и схемы включения биполярных транзисторов. 

2. Экспериментально исследовать статические ВАХ характеристики транзисторов и определить дифференциальные параметры в заданной рабочей точке.

 

 

 

1. Паспортные данные исследуемых транзисторов:

 

Транзистор	Тип	Корпус	h21э	Предельные эксплуатационные параметры
				Iк.маx,   мА	Uкэ.маx,   В	Uкб.маx,  В	Рк.маx, мВт
МП40	p-n-p	A	20..40	30	15	15	150

 

 

 

 

2. Схема для  исследования транзистора  по схеме с общей базой:

 

 

 

 

 

 

3. Результаты экспериментальных исследований в виде таблиц и графиков:

 

3.1

=0,22 мА, задающий ток коллектора =10 мА при напряжении коллектор – эмиттер =10В

 

3.2 
Семейство входных характеристик =транзистора для трех значений напряжения коллектор – эмиттер =0; 5; 10В

 

 

 

 

 

а). При = 0 В

, мА	0	0,15	0,62	1	6,5
, В	0	0,12	0,2	0,22	0,38

 

б). При = 5 В

, мА	0	0,44	0,62	0,81	1,2	1,8
, В	0	0,38	0,41	0,43	0,50	0,58

 

 

 

в). При = 10 В

, мА	0	0,44	0,74	0,96	1,4	1,8
, В	0	0,38	0,42	0,48	0,52	0,58

 

3.3 
Семейство выходных характеристик = транзистора для трех значений тока базы =0,3; 0,6∙;

а). = 0,22

, мА	0	1	1,2	1,4	1,6	1,8
, В	0	2	4	10	11	12

 

б). = 0,066

, мА	0	3	3,2	3,4	3,6	3,8
, В	0	1	3	5	7	9

 

в). = 0,132

, мА	0	0,2	0,26	0,28	0,32	0,36
, В	0	1	2	4	6	10

 

3.6 
Семейство выходных характеристик = транзистора в инверсном режиме для трех значений тока базы =0,3; 0,6∙;

а). = 0,22

, мА	0	1	1,2	1,4	1,6	2
, В	0	1	2	3	5	10

 

 

б). = 0,066

, мА	0	0,24	0,26	0,28	0,3	3,2
, В	0	1	3	5	7	9

 

 

в). = 0,132

, мА	0	0,56	0,58	0,6	0,62	0,68
, В	0	1	2	3	5	10

 

 

3.7  h-параметры . 

 

 =

 

 =

 

 =

 =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вывод:

Мы изучили устройство,  режим  работы, принцип действия и схемы  включения биполярных транзисторов, экспериментально исследовали статические  ВАХ характеристики транзисторов и  определили дифференциальные параметры  в заданной рабочей точке.