Эпитаксиальный арсенид индия

Реферат, 30 Марта 2013, автор: пользователь скрыл имя

Описание работы


Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны 3,5 мкм.

Работа содержит 1 файл

Документ Microsoft Word (2).docx

— 18.77 Кб (Открыть, Скачать)

Открыть текст работы Эпитаксиальный арсенид индия