Расчет параметров биполярного транзистора в режимах усиления и ключа

В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения задач по расчету основных свойств полупроводниковых приборов, на примере схемы с общим эмиттером. Были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора в ключевом (импульсном) режиме и режиме усиления.