Транзистор
Доклад, 17 Февраля 2013
Транзистор — электр тербелістерін күшейтуге, оны тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық прибор. Электрондық лампа сияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді. Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды; оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш.
Транзистор
Реферат, 19 Декабря 2011
Транзистор, жартылай Транзистор өткiзгiш транзисторлар атындағы электр тогiнiң күшейтуi және басқару үшiн жеке корпустардағы дискреттi компоненттерiнiң түрiнде немесе өйткенiнiң белсендi элементтерiнiң түрлерiнде шығарылуға қолайлы жартылай өткiзгiш құрал. олардың өлшемдерi 0,025 ммдердi аспайтын интегралды схемалар. Транзисторлар не байланысты сол қолданудың әр түрлi шарттарына оңай ыңғайлауға өте, ол электрон лампасыларды толық алмастырайын деп қалдыды.
Транзисторы
Доклад, 23 Апреля 2013
Транзисторы — полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Их основа — пластинка монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия), в которой с помощью особых технологических приемов созданы, как минимум, три области с разной электропроводностью: эмиттер, база и коллектор. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или п), базы — противоположная (п или р). Иными словами, биполярный транзистор (далее просто транзистор) содержит два р-п перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).
Полярные транзисторы
Реферат, 22 Февраля 2012
Действие транзистора можно сравнить с действием плотины. С помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т. е. управлять энергией мощного постоянного источника
Полярные транзисторы
Реферат, 30 Ноября 2010
Основные материалы из которых изготовляют транзисторы — кремний и германий, перспективные – арсенид галлия, сульфид цинка и широко зонные проводники.
Существует 2 типа транзисторов: биполярные и полевые.
Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора МОП- структуры (Металл- Окисел- Полупроводник), который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры.
Полярные транзисторы
Реферат, 11 Января 2012
Устройство полевого транзистора с изолированным затвором. Схемы включения полевого транзистора. Параметры, частотные и шумовые свойства полевых транзисторов, его вольт- амперные характеристики.
Изобретение транзистора
Реферат, 06 Октября 2011
В современной вычислительной технике нет более значимого изобретения, чем транзистор. Практически все электронные устройства, существующие сегодня, оснащены транзисторами: мобильные телефоны, компьютеры, бытовая техника, автомобили, космические корабли и медицинские приборы.
Каскады усиления на транзисторах
Доклад, 18 Марта 2012
Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление о схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.
Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:
Исследование полевых транзисторов
Лабораторная работа, 25 Января 2012
Цель работы:
изучить принцип действия биполярного транзистора и методы моделирования свойств транзистора как элемента электрической цепи.
Исследование полевых транзисторов
Лабораторная работа, 13 Апреля 2011
Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
Исследование биполярных транзисторов
Лабораторная работа, 24 Декабря 2012
Цель работы:
1. Изучить устройство, режим работы, принцип действия и схемы включения биполярных транзисторов.
2. Экспериментально исследовать статические ВАХ характеристики транзисторов и определить дифференциальные параметры в заданной рабочей точке.
Режимы работы биполярных транзисторов
Курсовая работа, 11 Февраля 2013
Биполярные транзисторы широко используются в современных электронных устройствах в качестве активных элементов, которые обеспечивают необходимое усиление и коммутацию аналоговых и цифровых сигналов. Кроме того, биполярные транзисторы входят в состав интегральных аналоговых и цифровых микросхем многих серий.
При разработке и анализе работы электронных устройств, содержащих биполярные транзисторы, необходимо знание основных схем включения биполярных транзисторов, особенностей их работы в различных схемах, а также методов расчета электронных схем с биполярными транзисторами. В связи с эти изучение биполярных транзисторов остается актуальным и в наши дни.
Рабочий режим биполярного транзистора
Контрольная работа, 12 Февраля 2012
При работе транзисторов (биполярных, полевых) и электронных ламп в реальных устройствах в цепи их электродов обычно включают не только источники постоянных напряжений, но и источники сигналов, подлежащих преобразованию, а также резисторы, обмотки трансформаторов, катушки индуктивности, колебательные контуры или другие элементы, называемые нагрузкой.
Транзисторы и применения их в усилителях
Лабораторная работа, 24 Ноября 2012
Цель работы: исследование статических входных и выходных характеристик транзистора и определение по ним характеристических h-параметров. Применение транзистора в схеме однокаскадного усилителя напряжения, исследование влияния параметров элементов схемы усилительного каскада, выполненного на транзисторе по схеме с общим эмиттером, на его основные характеристики.
Исследование работы режимов биполярных транзисторов
Курсовая работа, 10 Февраля 2013
Из-за сложности учета влияния факторов окружающей среды, а также разброса параметров элементов схем, результаты расчетов схем имеют большую погрешность. Часто в этом случае требуется изготовление макета электронного устройства для проверки режимов работы активных элементов. Это приводит к значительным затратам времени.
Значительно ускорить и удешевить процесс разработки позволяют современные программы моделирования электронных схем. В настоящей работе рассматривается программа моделирования PROTEUS VSM, которая позволяет синтезировать схемы, проводить их точный и многосторонний анализ, а также проектировать печатные платы электронных устройств.
Физические процессы в диодах, стабилитронах и транзисторах
Курсовая работа, 29 Декабря 2011
Изучение курса «Физические основы электроники» является важным при подготовке специалистов в области автоматики, телемеханики, связи на железнодорожном транспорте.
Цель курсовой работы – связать изучение физических процессов в полупроводниковых приборах с практическими расчётами простейших электронных схем.
Объём курсовой работы представляет набор задач, в которых охвачены физические процессы в наиболее широко распространенных приборах – диодах и транзисторах.
Расчет параметров биполярного транзистора в режимах усиления и ключа
Контрольная работа, 24 Января 2012
В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения задач по расчету основных свойств полупроводниковых приборов, на примере схемы с общим эмиттером. Были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора в ключевом (импульсном) режиме и режиме усиления.
Цепи формирования траектории переключения (ЦФТП) силовых транзисторов
Лабораторная работа, 22 Октября 2011
Для схемы коммутации активной нагрузки транзистором без ЦФТП «Схема 1»:
Снять осциллограммы и получить энергию, выделяющуюся в транзисторе, при включении для следующих исходных данных:
Е=11 В – напряжение источника;
R=6 Ом – сопротивление нагрузки;
t=1 мкс и 10 мкс – время включения ключа.
Исследование характеристик биполярных транзисторов и схем на их основе
Реферат, 02 Декабря 2011
Кредит относится к числу важнейших категорий экономической науки. Его изучению посвящены произведения классиков марксизма, многочисленные работы советских и зарубежных экономистов. Однако эта тема актуальна, поскольку кредитные отношения в современных условиях достигли наибольшего развития. «В настоящее время речь уже идет не о постоянном увеличении объемов денежных капиталов, предоставляемых в ссуду, но и о расширении субъектов кредитных отношений, а также растущем многообразии самих операций».
Методы тестирования (проверки работоспособности ) конденсаторов, диодов, стабилитронов, транзисторов и т.д .
Контрольная работа, 24 Декабря 2011
При ремонте любого электронного изделия приходится сталкиваться с проверкой радиоэлементов. При кажущейся простоте этот процесс имеет свои особенности. Возникают вопросы, касающиеся тестирования и тогда, когда радиолюбитель решает заменить старенький тестер на новый, с цифровой индикацией, когда появляются новые типы полупроводниковых приборов, таких как цифровые транзисторы, и т.д.